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2SA1162GT1	文件：50.1 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Amplifier Transistors •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating: TBD 文件：50.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1162GT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Amplifier Transistors	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1162GT1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 50V 0.15A SC59	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SA1174	文件：0 bytes Page：0 Pages		ROHM 罗姆上传：深圳市盈利润达电子有限公司	ROHM
2SA1312-GR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23	TOSHIBA 东芝上传：瀚佳科技(深圳)有限公司	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
2SA1162GT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SC-59
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SC59

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更多2SA1162GT1供应商更新时间2026-1-29 23:00:00

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