首页>2SA1162GT1>规格书详情
2SA1162GT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SA1162GT1 |
| 参数属性 | 2SA1162GT1 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 50V 0.15A SC59 |
| 功能描述 | General Purpose Amplifier Transistors |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
50.1 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-15 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SA1162GT1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1162GT1规格书详情
2SA1162GT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的2SA1162GT1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
•Moisture Sensitivity Level: 1
•ESD Rating: TBD
产品属性
更多- 产品编号：
2SA1162GT1
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
- 频率 - 跃迁：
80MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SC-59
- 描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SC59
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT23 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
CJ长电 |
21+ |
SOT23 |
14600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2517+ |
SC-59-3 |
8850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
Toshiba |
25+23+ |
Sot-23 |
27751 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
30000 |
询价 | ||||
长电/长晶 |
24+ |
SOT-23 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2023+ |
SOT-233 |
348000 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 |
