首页>2SA1162GT1>规格书详情
2SA1162GT1中文资料General Purpose Amplifier Transistors数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
2SA1162GT1 |
参数属性 | 2SA1162GT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 50V 0.15A SC59 |
功能描述 | General Purpose Amplifier Transistors |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 22:59:00 |
人工找货 | 2SA1162GT1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
2SA1162GT1规格书详情
简介
2SA1162GT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SA1162GT1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
2SA1162GT1
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
300mV @ 10mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2mA,6V
- 频率 - 跃迁:
80MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SC-59
- 描述:
TRANS PNP 50V 0.15A SC59
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
12000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT23 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT23-3 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
Toshiba |
25+23+ |
Sot-23 |
27751 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
30000 |
询价 | ||||
长电/长晶 |
24+ |
SOT-23 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
SC-59 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
原装TOSHIBA |
23+ |
SOT-23 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
100 |
询价 |