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2SA1162	文件：98.23 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQRENCY,LOW NOISE AMPLIFIER • Complemen to 2SC2712 • Collector-current:Ic=-100mA Collector-Emiller Voltage:VCE=-45V 文件：98.23 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SA1162	文件：699.19 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package Descriptions Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. Features High voltage and current, excellent hFE linearity, high hFE, low noise, complementary to 2SC2712. Applications Audio frequency general purpose amplifier applications. 文件：699.19 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SA1162	文件：836.19 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES . Low noise . Complementary to 2SC2712 . S m a ll Package 文件：836.19 Kbytes 页数：3 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
2SA1162	文件：639.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors ■ Features ● High voltage and high current ● High hFE: hFE = 70~400 ● Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) ● Complementary to 2SC2712 文件：639.74 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SA1162	文件：200.74 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low noise : NF= 1dB(Typ.),10dB (Max.) Complementary to 2SC2712. Small Package. 文件：200.74 Kbytes 页数：2 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
2SA1162	文件：69.45 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulated Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power dissipation PCM : 150 mW (Tamb=25℃) Collector current ICM : 150 mA Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：69.45 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SA1162	文件：391.18 Kbytes Page：3 Pages	Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：391.18 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SA1162	文件：195.07 Kbytes Page：3 Pages	丝印：SO；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Transistor 文件：195.07 Kbytes 页数：3 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
2SA1162	文件：332.12 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon General Purpose Transistor 文件：332.12 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SA1162	文件：410.41 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type Transistor 文件：410.41 Kbytes 页数：4 Pages	BWTECH	BWTECH

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晶体管资料

型号：
2SA1162
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC856,BC857,BCW69,BCW70,BCW89,2SA1311,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
A-23
vtest：
50
htest：
80000100
atest：
0.15
wtest：
0.15

技术参数

Polarity：
PNP
VCEO(Max)(V)：
-50
IC(Max)(A)：
-0.15
hFE(Min)：
70
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
-0.3
ComplementaryProduct：
2SC2712
Comments：
Rank is specified by hFE range.
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
SOT-346 (S-Mini)
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.5 x 1.1
AEC-Q101：
Qualified(*)

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更多2SA1162供应商更新时间2026-4-10 20:05:00

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