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2SA1162分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

2SA1162

厂商型号	2SA1162
参数属性	2SA1162 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 50V 0.15A SMINI
功能描述	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	98.23 Kbytes
页面数量	1 页
生产厂商	SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD
企业简称	WINNERJOIN【永而佳实业】
中文名称	深圳市永而佳实业有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-21 23:00:00
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2SA1162规格书详情

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW FREQRENCY,LOW NOISE AMPLIFIER

• Complemen to 2SC2712

• Collector-current:Ic=-100mA

Collector-Emiller Voltage:VCE=-45V

产品属性

产品编号：
2SA1162-GR,LXHF
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，6V
频率 - 跃迁：
80MHz
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
S-Mini
描述：
TRANS PNP 50V 0.15A SMINI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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