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2SB1424	文件：61.39 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:600mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited
2SB1424	文件：52.38 Kbytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor ■Features ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SD2150	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1424	文件：183.08 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor FEATURES Powerdissipation PCM:600mWTemp.=25°C Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJTstg:-55°Cto+150°C	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1424	文件：260.769 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ExcellentDCCurrentGain ●LowCollector-emittersaturationvoltage ●Complementthe2SD2150	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司
2SB1424	文件：150.48 Kbytes Page：2 Pages	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR LOWVCE(SAT)TRANSISTOR DESCRIPTION AstheUTCPNPsilicontransistor,the2SB1424istheepitaxialplanartypetransistorwhichhasverylowVCE(SAT)(Collector-emittersaturationvoltage). FEATURES VerygoodDCcurrentgain VerylowVCE(SAT)=-0.2V@IC/IB=(-2A)/(-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1424	文件：1.01929 Mbytes Page：3 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate PNP Transistors FEATURES ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementthe2SD2150	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
2SB1424	文件：1.61084 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementthe2SD2150	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SB1424	文件：187.19 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor FEATURES ●LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.1mA). ●ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. ●Complementarythe2SD2150. APPLICATIONS ●Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SB1424	文件：132.74 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(SAT) 0.2V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.1mA). FEATURES •LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1mA). •ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. •Complementarythe2SD2150.	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
2SB1424	文件：72.21 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (??0V, ??A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.2V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S. Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1424	文件：781.09 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),excellentDCcurrentgaincharacteristics. Applications Generalpurposeamplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SB1424	文件：203.17 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1mA). •ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. •Complementarythe2SD2150.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
2SB1424	文件：109.45 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:600mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-20V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SB1424	文件：629.64 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistors ■Features ●ExcellentDCcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementaryto2SD2150	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司
2SB1424	文件：493.57 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor(-20V,-3A) FEATURES LowVCE(SAT)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.1mA). ExcellentDCcurrentgaincharacterisitics. Complementarythe2SD2150. APPLICATIONS Thisdeviceisdesignedasageneralpurposeamplifier andswitching.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SB1424	文件：101.55 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) Features 1)LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe2SD2150/2SC4115S.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1424	文件：254.94 Kbytes Page：4 Pages	Epitaxial Planar PNP Transistors EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SB1424	文件：91.27 Kbytes Page：4 Pages	Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1424G-X-AB3-R	文件：150.48 Kbytes Page：2 Pages	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR LOWVCE(SAT)TRANSISTOR DESCRIPTION AstheUTCPNPsilicontransistor,the2SB1424istheepitaxialplanartypetransistorwhichhasverylowVCE(SAT)(Collector-emittersaturationvoltage). FEATURES VerygoodDCcurrentgain VerylowVCE(SAT)=-0.2V@IC/IB=(-2A)/(-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1424L-X-AB3-R	文件：150.48 Kbytes Page：2 Pages	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR LOWVCE(SAT)TRANSISTOR DESCRIPTION AstheUTCPNPsilicontransistor,the2SB1424istheepitaxialplanartypetransistorwhichhasverylowVCE(SAT)(Collector-emittersaturationvoltage). FEATURES VerygoodDCcurrentgain VerylowVCE(SAT)=-0.2V@IC/IB=(-2A)/(-0.1A)	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司

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晶体管资料

型号：
2SB1424
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
240MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1314,2SA1730,2SB1301,2SB1302,2SB1518,2SB1440,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
20
htest：
240000000
atest：
3
wtest：
.75

详细参数

型号：
2SB1424
制造商：
ROHM Semiconductor
功能描述：
2SB1424T100P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯祺盛科技有限公司	2SB1424	ROHM	0026+	SOT89	800	原装现货只有原装	询价
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更多2SB1424供应商更新时间2024-4-23 12:12:00

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