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2SB649	文件：35.81 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD669/A 文件：35.81 Kbytes 页数：8 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SB649	文件：77.47 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SD669/A 文件：77.47 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB649	文件：272.58 Kbytes Page：5 Pages	PNP Epitaxial Planar Transistors PNP Epitaxial Planar Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：272.58 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB649	文件：4.21523 Mbytes Page：3 Pages	TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES Power amplifier applications 文件：4.21523 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB649	文件：205.19 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type 2SD669/669A • High breakdown voltage VCEO:-120/-160V • High current -1.5A • Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS • For low-frequency power amplifier applications 文件：205.19 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB649	文件：126.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Collector Current-lc=-i.5A • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO=-120V(Min) • Good Linearity of hFE • Low Saturation Voltage • Complement to Type 2SD669 APPLICATIONS • Power amplifier applications 文件：126.72 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB649	文件：148.44 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type 2SD669/669A ·High breakdown voltage VCEO:-120/-160V ·High current -1.5A ·Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS ·For low-frequency power amplifier applications 文件：148.44 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB649	文件：258.25 Kbytes Page：2 Pages	PNP Type Plastic Encapsulate Transistors FEATURES Power smplifier applications Power dissipation PCM : 1W（Tamb=25℃） Collector current ICM : -1.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -180 V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150 Collector-emitter voltage VC 文件：258.25 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SB649	文件：1.04176 Mbytes Page：3 Pages	丝印：B649；Package：TO-126；TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Frequency Power Amplifier Complementary Pair with 2SD669 / 2 SD669A 文件：1.04176 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB649	文件：306.37 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (PNP) TRANSISTOR (PNP) FEATURES Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD669/A 文件：306.37 Kbytes 页数：3 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN

晶体管资料

型号：
2SB649(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_视频输出（Vi
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF463,BF760,CA73-2G,2SA1249,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
180
htest：
140000000
atest：
1.5
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
1
IC(A)：
1.5
VCBO(V)：
180
VCEO(V)：
120
VEBO(V)：
5
hFEMin：
60
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.15
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
0.5
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.05
Package：
TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB649供应商更新时间2026-1-18 11:03:00

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