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2SB834	文件：118.85 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3.0A,60V,30W) 3.0 AMPERE POWER TRANSISTOR 60 VOLTS 30WATTS 文件：118.85 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SB834	文件：199.71 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Epitaxial Power Transistor Features: * DC Current Gain hFE = 60-200 @IC = 0.5A * Low VCE(sat)≤ 1.0V(MAX) @IC = 3.0A, IB = 0.3A * Complememtary to NPN 2SD880 文件：199.71 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB834	文件：163.21 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD880 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier 文件：163.21 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB834	文件：194.3 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD880 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier 文件：194.3 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB834	文件：132.04 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·Low collector saturation voltage ·Complement to type 2SD880 APPLICATIONS ·Audio frequency power amplifier 文件：132.04 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB834	文件：74 Kbytes Page：1 Pages	It is intented for use in power amplifier and switching applications. DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：74 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
2SB834	文件：26.29 Kbytes Page：1 Pages	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER * Complement to 2SD880 文件：26.29 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SB834	文件：1.40417 Mbytes Page：4 Pages	丝印：B834；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector -Emitter Saturation Voltage VCE(sat)=1.0V(Max)@ IC=-3A,IB=-0.3A DC current Gain hFE =60-200@ IC=0.5A Complementary to NPN 2SD880 文件：1.40417 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB834	文件：134.73 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) 文件：134.73 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SB834	文件：326.1 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (PNP) 文件：326.1 Kbytes 页数：2 Pages	KOOCHIN 灏展电子	KOOCHIN

晶体管资料

型号：
2SB834
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
9MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD242A,BD536,BD578,BD936,CD552,TIP32A,2SA1288,3CD50B,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-89
vtest：
60
htest：
9000000
atest：
3
wtest：
30

技术参数

Polarity：
PNP
PCM(W)：
1.5
IC(A)：
-3
VCBO(V)：
-60
VCEO(V)：
-60
VEBO(V)：
-7
hFEMin：
60
hFEMax：
200
hFE@VCE(V)：
-5
hFE@IC(A)：
-0.5
VCE(sat)(V)：
-1
VCE(sat)@IC(A)：
-3
VCE(sat)@IB(A)：
-0.3
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB834供应商更新时间2026-1-7 18:41:00

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