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2SB1188	文件：128.24 Kbytes Page：5 Pages	Epitaxial Planar PNP Transistors EpitaxialPlanarPNPTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SB1188	文件：781.59 Kbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features LowVCE(sat),complementsthe2SD1766. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SB1188	文件：218.08 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES •LowVCE(sat). •Complementsthe2SD1766	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1188	文件：1.20419 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
2SB1188	文件：177.12 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor FEATURES ●LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). ●Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS ●Epitaxialplanartype. ●PNPsilicontransistor.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司
2SB1188	文件：147 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat). FEATURES •LowVCE(sat). •Complementsthe2SD1766	MAKOSEMI MAKO SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
2SB1188	文件：134.44 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Mediumpowertransistor(−32V,−2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=−0.5V(Typ.) (IC/IB=−2A/−0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1188	文件：531.59 Kbytes Page：3 Pages	SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat).VCE(sat)=-0.5V(Typ.)(IC/IB=-2A/-0.2A) ●Complementsthe2SD1766 ●Weight:0.05g ●RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司
2SB1188	文件：1.64063 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●LowVCE(sat). ●Complementsthe2SD1766	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
2SB1188	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1188	文件：483.3 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor(-32V,-2A) FEATURES LowVCE(SAT)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A). Complementarythe2SD1766. APPLICATIONS Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2SB1188	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/ 2SD1758/2SD1862/2SD1189F/ 2SD1055/2SD1919/SD1227M. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1188	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1188	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR•FTL Lowprofileflat-packageforlimitedspeceapplications. Tapetypecanbeusedonautomatedline.Bulktypeisalsoavailable.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团
2SB1188	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■DESCRIPTION TheUTC2SB1188isamediumpowerlowvoltagetransistor,designedforaudiopoweramplifier,DC-DCconverterandvoltageregulator. ■FEATURES Highcurrentoutputupto3A Lowsaturationvoltage	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2SB1188	文件：51.46 Kbytes Page：1 Pages	Medium Power Transistor Features ●LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.5V(Typ.) (IC/IB=-2A/-0.2A)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
2SB1188	文件：638.55 Kbytes Page：2 Pages	PNP Silicon Medium Power Transistor DESCRIPTION The2SB1188isdesignedformediumpoweramplifierapplications. FEATURES ●Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.5V(Typ.) ●RoHSCompliantProduct	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ●Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe2SD1766/2SD1758/2SD1862. ●Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团

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晶体管资料

型号：
2SB1188
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1203,2SA1213,2SB1073,2SB1114,2SB1123,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
2SB1188
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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