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2SB1188	文件：54.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR ■ DESCRIPTION The UTC 2SB1188 is a medium power low voltage transistor, designed for audio power amplifier, DC-DC converter and voltage regulator. ■ FEATURES * High current output up to 3A * Low saturation voltage 文件：54.11 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SB1188	文件：128.24 Kbytes Page：5 Pages	Epitaxial Planar PNP Transistors Epitaxial Planar PNP Transistors P/b Lead(Pb)-Free 文件：128.24 Kbytes 页数：5 Pages	WEITRON	WEITRON
2SB1188	文件：93.7 Kbytes Page：4 Pages	丝印：T100；Package：MPT3；Medium power Transistor(-32V, -2A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC / IB = -2A / -0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：93.7 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：538.33 Kbytes Page：11 Pages	MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) 文件：538.33 Kbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：124.57 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Transistor (32V, 2A) FTR • FTL Low profile flat-package for limited spece applications. Tape type can be used on automated line. Bulk type is also available. 文件：124.57 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (-32V, -2A) ● Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862. ● Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：180.38 Kbytes Page：4 Pages	Medium power transistor (32V, 2A) Medium power transistor (−32V, −2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.5V (Typ.) (IC/IB = −2A / −0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 Structure Epitaxial planar type PNP silicon transistor 文件：180.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：134.9 Kbytes Page：4 Pages	Medium power Transistor(32V,2A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.2A) 2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F / 2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M. 文件：134.9 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SB1188	文件：327.11 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ● Low VCE(sat). ● Complements the 2SD1766 文件：327.11 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI

晶体管资料

型号：
2SB1188
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SA1203,2SA1213,2SB1073,2SB1114,2SB1123,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

PCM(W)：
0.5
IC(A)：
2
VCBO(V)：
40
VCEO(V)：
32
VEBO(V)：
5
hFEMin：
82
hFEMax：
390
hFE@VCE(V)：
3
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
0.8
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1188供应商更新时间2026-4-17 15:22:00

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