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2SB1375	文件：157.7 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER) Audio Frequency Power Amplifier • Low saturation voltage: VCE (sat) = −1.5 V (max) (IC = −2 A, IB = −0.2 A) • High power dissipation: PC = 25 W (Tc = 25°C) • Collector metal (fin) is covered with mold resin • Complementary to 2SD2012 文件：157.7 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SB1375	文件：170.91 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Complement to type 2SD2012 • Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2A,IB=-0.2A • Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier 文件：170.91 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SB1375	文件：352.73 Kbytes Page：2 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (PNP) FEATURES • High Power Dissipation: PC=25W(TC=25℃ ) • Low voltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) • Collector Metal(Fin)is Coverd with Mold Regin • Complementary to 2SD2012 文件：352.73 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SB1375	文件：200.82 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Complement to type 2SD2012 • Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2A,IB=-0.2A • Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier 文件：200.82 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SB1375	文件：126.49 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= -60V(Min) • Collector Power Dissipation- : Pc= 25 W@ Tc= 25°C • Low Collector SaturationVoltage- : VCE(sat)- -1.5V(Max)@ (\|c= -2A, IB= -0.2A) • Complement to Type 2SD2012 APPLICATIONS • Designed for audio frequency po 文件：126.49 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SB1375	文件：247.94 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • Complement to type 2SD2012 • Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=-1.5V(Max) at IC=-2A,IB=-0.2A • Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS • Audio frequency power amplifier 文件：247.94 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1375	文件：1.0731 Mbytes Page：3 Pages	丝印：B1375；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High Power Dissipation: PC=25W(TC=25℃) Low voltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A) Collector Metal(Fin)is Coverd with Mold Regin Complementary to 2SD2012 文件：1.0731 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SB1375	文件：1.03826 Mbytes Page：6 Pages	Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Descriptions Silicon PNP transistor in a TO-220F Plastic Package. Features Low VCE(sat), High PC, complementary pair with 2SD2012. Applications Audio frequency power amplifier applications. 文件：1.03826 Mbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SB1375	文件：249.61 Kbytes Page：4 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：249.61 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SB1375	文件：142.74 Kbytes Page：5 Pages	Silicon PNP Triple Diffused Type 文件：142.74 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SB1375
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
9MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD936F,2SB1015,2SB1094,2SB1133,2SB1187,2SB1274,2SB1392,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
β=100-320
图片代号：
B-10
vtest：
60
htest：
9000000
atest：
3
wtest：
25

技术参数

PCM(W)：
2
IC(A)：
3
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
7
hFEMin：
100
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1.5
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-220-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SB1375供应商更新时间2025-12-24 9:05:00

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