2SB1375分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
2SB1375 |
| 参数属性 | 2SB1375 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 3A TO220NIS |
| 功能描述 | TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | TO-220-3L / TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
1.0731 Mbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Nanjing International Group Co |
| 企业简称 |
DGNJDZ【南晶电子】 |
| 中文名称 | 东莞市南晶电子有限公司官网 |
| 原厂标识 | DGNJDZ |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 9:24:00 |
| 人工找货 | 2SB1375价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SB1375规格书详情
FEATURES
High Power Dissipation: PC=25W(TC=25℃)
Low voltage:VCE(sat)=-1.5V(Max)(IC=-2A,IB=-0.2A)
Collector Metal(Fin)is Coverd with Mold Regin
Complementary to 2SD2012
产品属性
- 产品编号：
2SB1375,CLARIONF(M
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
9MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220NIS
- 描述：
TRANS PNP 60V 3A TO220NIS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
2010+ |
TO-220F |
125 |
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25+ |
TO-TO-220F |
37650 |
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CJ/长电 |
22+ |
TO-220 |
15240 |
原装正品 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO-220F |
27500 |
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TOSHIBA |
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CJ/长电 |
24+ |
TO-220-3L |
50000 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
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TO-220F |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-220F |
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