VND5160JTR-E资料使用说明书批发采购第5页-114ic电子网

首页 >VND5160J>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
NTE5160A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	NTE5111AthruNTE5166AZenerDiode,5Watt5Tolerance Features: ●ZenerVoltage:3.3Vto200V ●HighSurgeCurrentCapability	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
PBSS5160DS	文件：263.34 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160DS	文件：141 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorpairinasmallSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICand	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160DS	文件：143.46 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorpairinaSOT457(SC-74)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160DS. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160K	文件：125.18 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT346(SC-59A)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highco	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160K	文件：124.85 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinasmallSOT346(SC-59A)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160K. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hi	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160PAP	文件：751.74 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNP/PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadless mediumpowerDFN2020-6(SOT1118)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPN/PNPcomplement:PBSS4160PANP.NPN/NPNcomplement:PBSS4160PAN. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160PAP	文件：276.04 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160PAPS	文件：763.04 Kbytes Page：19 Pages	60V,1APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160QA	文件：264.01 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160QA	文件：743.81 Kbytes Page：17 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. NPNcomplement:PBSS4160QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：696.66 Kbytes Page：11 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyduetolessheatgeneration ReducesPrinted-CircuitBoard(PCB)arearequired *Cost-effectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160T	文件：196.31 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(PNP) Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting LCDback-lighting Supplylineswitchingcircuits.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
PBSS5160T	文件：698.91 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS5160T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160T	文件：109.09 Kbytes Page：10 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprinted-circuitboardarearequired •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS5160U	文件：133.73 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaverysmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160U. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS5160U	文件：247.33 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaverysmall SOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160U. 1.2Features nLowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat nHighcollectorcurrentcapabilityI	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160V	文件：267.59 Kbytes Page：15 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highefficiencyleadingtolessheatgeneration Reducesprinted-circuitboardarearequired *CosteffectivereplacementformediumpowertransistorsBCP52andBCX52	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS5160V	文件：153.79 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignals(BISS)transistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4160V. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiencyleadingtolessheatgenerati	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

<<<1 2 3 456 >>>

详细参数

型号：
VND5160J
功能描述：
马达/运动/点火控制器和驱动器 Double Ch Hi Side Driver analog
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Stepper Motor Controllers/Drivers
类型：
2 Phase Stepper Motor Driver
工作电源电压：
8 V to 45 V
电源电流：
0.5 mA
工作温度：
- 25 C to + 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
HTSSOP-28
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	VND5160JTR-E	ST	23+	HSSOP12	26000	原装现货,正规报关,有增值税票。	询价
深圳市振宏微科技有限公司	VND5160JTR-E	ST	23+	HSSOP12	7500	工厂现货!原装正品!	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	VND5160JTR-E	STM	23+	PowerSSO-12	5000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	VND5160JTR-E	STMicroelectronics	24+	PowerSSO-12?	25717	英飞凌电源管理芯片-原装正品	询价
深圳市兴灿科技有限公司	VND5160JTR-E	ST	2021+	23+	16500	代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特	询价
深圳市恒意法电子有限公司	VND5160JTR-E	ST	21+	HSOP12	2857	专营原装正品现货,当天发货,可开发票!	询价
深圳市吉银科技有限公司	VND5160JTR-E	ST	19+/20+	HSOP-12	8824		询价
深圳市鹏锦翔科技有限公司三部	VND5160JTR-E	ST	21+	HSOP12	10080	原装,诚信经营	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	VND5160JTR-E	ST	2339+	HSOP12	32280	原装现货假一罚十!十年信誉只做原装!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	VND5160JTR-E	ST	21+	HSSOP12	2500	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多VND5160J供应商更新时间2024-5-15 18:10:00

详细参数

相关规格书

相关库存