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PBSS5160PAP中文资料安世数据手册PDF规格书

PBSS5160PAP
厂商型号

PBSS5160PAP

功能描述

60 V, 1 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

2L

封装外壳

DFN2020-6

文件大小

751.74 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 16:07:00

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PBSS5160PAP规格书详情

1. General description

PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless

medium power DFN2020-6 (SOT1118) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN/PNP complement: PBSS4160PANP. NPN/NPN complement: PBSS4160PAN.

2. Features and benefits

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High collector current gain hFE at high IC

• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements

• High energy efficiency due to less heat generation

• AEC-Q101 qualified

3. Applications

• Load switch

• Battery-driven devices

• Power management

• Charging circuits

• Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 型号:

    PBSS5160PAP

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 60V 1A PNP/PNP lo VCEsat transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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