VND5N07TR-E中文资料下载原装现货-114ic电子网

首页 >VND5N07TR-E>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
VND5N07TR-E	文件：504.27 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07-E	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNK5N07FM	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNK5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNK5N07FM	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP5N07	文件：132.12 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP5N07FI	文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET:FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND5N07isamonolithicdevicedesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvironments.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP5N07FI	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVND5N07-EisamonolithicdevicedesignedusingSTMicroelectronics®VIPower®M0technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCto50KHzapplications.Built-inthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenvir	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
VND5N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
200 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
DPAK
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	VND5N07TR-E	STMicroelectronics	23+	DPAK	25717	英飞凌电源管理芯片-原装正品	询价
深圳市和悦电子贸易有限公司	VND5N07TR-E	STMICROELECTRONICS			5000		询价
深圳市星宇佳科技有限公司	VND5N07TR-E	STM	23+/22+/21+	TO-252-3 (DPAK)	12500		询价
中科国际电子(深圳)有限公司	VND5N07TR-E	ST/意法	22+	TO-252-3	12500	原厂原装现货	询价
深圳市安博威科技有限公司	VND5N07TR-E	STM	21+	TO-252-3 (DPAK)	2500	原装正品有挂有货	询价
深圳市福田区晶康业电子商行	VND5N07TR-E	ST	20+	SOT252	15800	全新原装,价格优势	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	VND5N07TR-E	ST/意法	22+	TO-252	600	只做原装进口免费送样!!	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	VND5N07TR-E	ST	21+	TO-252	10000	只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务!	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	VND5N07TR-E	ST(意法)	21+		5000	只做原装假一罚百可开票可售样	询价
深圳兆威电子有限公司	VND5N07TR-E	ST	23+	TO-252	5000	只做原装 ,实单力挺	询价

更多VND5N07TR-E供应商更新时间2024-4-26 11:10:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号