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PBSS5160T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBSS5160T

参数属性

PBSS5160T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PBSS5160T/SOT23/TO-236AB

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

109.09 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-10-4 17:06:00

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PBSS5160T规格书详情

DESCRIPTION

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package.

NPN complement: PBSS4160T.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability: IC and ICM

• High efficiency, reduces heat generation

• Reduces printed-circuit board area required

• Cost effective replacement for medium power

transistors BCP52 and BCX52.

APPLICATIONS

• Major application segments:

– Automotive

– Telecom infrastructure

– Industrial.

• Power management:

– DC-to-DC conversion

– Supply line switching.

• Peripheral driver:

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps

and LEDs)

– Inductive load driver (e.g. relays,

buzzers and motors).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5160TVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    175mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5160T/SOT23/TO-236AB

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