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VND7NV04TR-E	文件：461.22 Kbytes Page：37 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit protection ■ Integrated clamp ■ Low current drawn from input pin ■ Diagnostic feedback through input pin ■ ESD protection ■ Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) ■ Compatible with standard Po 文件：461.22 Kbytes 页数：37 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND7NV04TR-E	文件：619.37 Kbytes Page：37 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：619.37 Kbytes 页数：37 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND7NV04TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN7NV04	文件：618.75 Kbytes Page：37 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：618.75 Kbytes 页数：37 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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VNN7NV04	文件：488.77 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNN7NV04, VNS7NV04, VND7NV04 VND7NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：488.77 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VND7NV04TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
6A
导通电阻（典型值）：
60 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
DPAK
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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