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VNQ660SPTR-E	文件：408.35 Kbytes Page：26 Pages	Quad channel high side solid state relay	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VNQ660SPTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
VSIB660	文件：73.99 Kbytes Page：3 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSIB660	文件：202.05 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSIB660	文件：96.1 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRD660CTPBF	文件：130.18 Kbytes Page：7 Pages	HighPerformanceSchottkyRectifier,2x3A FEATURES •PopularD-PAKoutline •Centertapconfiguration •Smallfootprint,surfacemountable •Lowforwardvoltagedrop •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 260°C •Material	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRD660CTPbF	文件：151.67 Kbytes Page：7 Pages	Centertapconfiguration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRD660CTPBF	文件：152.41 Kbytes Page：8 Pages	SchottkyRectifier,2x3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WG-660-D	文件：421.41 Kbytes Page：7 Pages	Back-to-backSCRwithinternalsnubber Features SwitchingZerocross OutputBack-to-backSCRwithinternalsnubber InputDCwithconstantcurrentcontrol Applicationsresistiveandinductiveloadswithcosϕ>0,85(Z-Type) inductiveloadwithcosϕ>0,65(R-Type)	COMUS Comus International	COMUS

产品属性

产品编号：
VNQ660SPTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
VIPower™
包装：
卷带（TR）
开关类型：
通用
输出数：
4
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
6V ~ 36V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
6A
导通电阻（典型值）：
40 毫欧
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
10-PowerSO
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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更多VNQ660SPTR-E供应商更新时间2025-7-24 17:43:00

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