VNS1NV04DPTR-E资料datasheet下载供应代理-114ic电子网

首页 >VNS1NV04DPTR-E>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
VNS1NV04DPTR-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower™M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04DPTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04-E	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04-E	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04	文件：406.97 Kbytes Page：33 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04P-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNN1NV04TR-E	文件：546.08 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04	文件：406.97 Kbytes Page：33 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04	文件：392.63 Kbytes Page：18 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04D	文件：244.38 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04D	文件：249.88 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS1NV04D-E	文件：252.12 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS1NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications. ■LINEA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

12 >>>

产品属性

产品编号：
VNS1NV04DPTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1.7A
导通电阻（典型值）：
250 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	2019+全新原装正品	SOP8	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市艾宇特电子科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	22+	SOP-8	20000	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市保之丰科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	21+	SOIC-8	20000	全新原装,假一赔十!	询价
深圳市智芯远电子有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	21+	SOP-8	5800	原装正品现货假一罚十	询价
深圳市明盛嘉电子科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST/意法	21+	SOP8	50000	原装现货/假一赔十/支持第三方检验	询价
深圳市中利达电子科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	22+	SOP8	5000		询价
深圳市特瑞斯科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	23+	SOP-8	37500	一级分销商!	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	22+	SOP-8	8000	深圳现货,原装正品	询价
深圳市星宇佳科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	STM	23+	SO-8	7500		询价
深圳市正迈科技有限公司	VNS1NV04DPTR-E	ST	23+	SOP	20000	原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全	询价

更多VNS1NV04DPTR-E供应商更新时间2024-4-19 16:36:00

产品属性

相关规格书

相关库存