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VNS1NV04DPTR-E集成电路（IC）的配电开关负载驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
VNS1NV04DPTR-E |
| 参数属性 | VNS1NV04DPTR-E 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO |
| 功能描述 | OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
383.42 Kbytes |
| 页面数量 |
24 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-5 22:59:00 |
| 人工找货 | VNS1NV04DPTR-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNS1NV04DPTR-E规格书详情
描述 Description
The VNS1NV04DP-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protects the chip in harsh environments.
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
• Compatible with standard power mosfet
• In compliance with the 2002/95/EC european directive
产品属性
更多- 产品编号：
VNS1NV04DPTR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 系列：
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 开关类型：
通用
- 输出数：
2
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
1.7A
- 导通电阻（典型值）：
250 毫欧（最大）
- 输入类型：
非反相
- 故障保护：
限流（固定），超温，过压
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
25+ |
SO-8 |
22412 |
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ST/意法 |
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STM |
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SO-8 |
50000 |
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