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中天科工半导体(深圳)有限公司

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VNS1NV04DPTR-E

ST标准

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热卖原装进口

中天科工半导体(深圳)有限公司

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VNS1NV04PTR-E

STSOP

31165

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热卖原装进口

深圳市环球伟业电子有限公司

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VNS1NV04DPTR-E

LQFP64

22480

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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市金胜达微科技有限公司

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VNS1NV0413TR

STSOP8

8600

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原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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VNS1NV04D

ST/意法SOP-8

98900

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原厂原装正品现货!!

深圳市天成基业科技有限公司

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STSOP8

227500

有挂就有正品原装

深圳市艾宇特电子科技有限公司

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ST/意法SOP8

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市振宏微科技有限公司

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STSOP8

10000

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原装正品!假一罚十!

深圳兆威电子有限公司

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ST/意法SOP-8

9000

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只做原装

深圳市星宇佳科技有限公司

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ST/意法SOP-8

1000

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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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ST/意法SOP-8

35000

22+

我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信

深圳兆威电子有限公司

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STSOP8

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深圳市豪迈兴电子有限公司

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ST(意法)SOIC-8_150mil

4989

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只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货

深圳市拓亿芯电子有限公司

10年 留言
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ST/意法SOP-8

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只做原装现货假一罚十

深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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原装正品,实单请联系

深圳市汇莱威科技有限公司

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ST/意法SOP8

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深圳市昌和盛利电子有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市赛特兴科技有限公司

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VNS1NV04PTR-E价格

VNS1NV04PTR-E价格:¥2.1201品牌:STMicroelectronics

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VNS1NV04DPTR-E资讯

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VNS1NV04DPTR-E 原装正品现货

ST原装有单必成

VNS1NV04DPTR-E中文资料Alldatasheet PDF

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VNS1NV04功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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VNS1NV04D功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

VNS1NV04D13TR功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

VNS1NV04D-E功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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VNS1NV04DPTR-E功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

VNS1NV04DTR-E功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

VNS1NV04-E功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

VNS1NV04P-E功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube