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ST

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深圳市东来宝电子科技有限公司

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VNS1NV04DTR-E

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VNS1NV04DTR-E

STM

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全新原装现货

艾睿（深圳）半导体有限公司

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VNS1NV04DTR-E

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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市毅创弘电子科技有限公司

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VNS1NV04DTR-E

STMicroelectronics8-SO

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深圳市安富世纪电子有限公司

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VNS1NV04DTR-E

ST(意法)8-SOIC(0.154

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VNS1NV04DTR-E

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深圳市华睿芯科技有限公司

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VNS1NV04DTR-E

STSOP8

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VNS1NV04DTR-E中文资料Alldatasheet PDF

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VNS1NV04DTR-E功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    VNS1NV04DTR-E

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 类别：

    集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器

  • 系列：

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装：

    管件

  • 开关类型：

    通用

  • 输出数：

    2

  • 比率 - 输入：

    1：1

  • 输出配置：

    低端

  • 输出类型：

    N 通道

  • 接口：

    开/关

  • 电压 - 负载：

    36V（最大）

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：

    不需要

  • 电流 - 输出（最大值）：

    1.7A

  • 导通电阻（典型值）：

    250 毫欧（最大）

  • 输入类型：

    非反相

  • 故障保护：

    限流（固定），超温，过压

  • 工作温度：

    -40°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 供应商器件封装：

    8-SOIC

  • 封装/外壳：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 描述：

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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