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VNS1NV04PTR-E	文件：465.35 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features • Linear current limitation • Thermal shutdown • Short circuit protection • Integrated clamp • Low current drawn from input pin • Diagnostic feedback through input pin • ESD protection • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) • Compatible with standard Po 文件：465.35 Kbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：416.49 Kbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04PTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS1NV04TR	文件：538.37 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：538.37 Kbytes 页数：33 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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