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VNV20N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerSO-10 裸露底部焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB20N07	文件：153.12 Kbytes Page：13 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP20N07FI, VNB20N07 and VNV20N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VlPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the 文件：153.12 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB20N07	文件：422.87 Kbytes Page：13 Pages	FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：422.87 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB20N07-E	文件：491.98 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：491.98 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNV20N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
14A
导通电阻（典型值）：
50 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
10-PowerSO
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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更多VNV20N07TR-E供应商更新时间2025-11-18 9:30:00

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