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VNN3NV04P-E	文件：287.49 Kbytes Page：22 Pages	fullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VNS3NV04D	文件：241.6 Kbytes Page：14 Pages	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNS3NV04DisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETSfromDCupto50KHzapplications.Builtinther	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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产品属性

产品编号：
VNS3NV04DPTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
120 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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