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VNS3NV04DPTR-E	文件：382.89 Kbytes Page：21 Pages	Automotive OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features  AEC-Q100 qualified  ECOPACK: lead free and RoHS compliant  Linear current limitation  Thermal shutdown  Short-circuit protection  Integrated clamp  Low current drawn from input pin  Diagnostic feedback through input pin  ESD protection  Direct access to the gate of t 文件：382.89 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DPTR-E	文件：289.94 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：289.94 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DPTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04DTR-E	文件：357.06 Kbytes Page：21 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description The VNS3NV04D-E is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50KHz applications. Built in th 文件：357.06 Kbytes 页数：21 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNS3NV04P-E	文件：287.49 Kbytes Page：22 Pages	fully autoprotected Power MOSFET 文件：287.49 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNS3NV04DPTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
120 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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