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VNS1NV04DPTR-E集成电路(IC)的配电开关负载驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

VNS1NV04DPTR-E

参数属性

VNS1NV04DPTR-E 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

功能描述

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

413.53 Kbytes

页面数量

24

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-24 14:28:00

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VNS1NV04DPTR-E规格书详情

特性 Features

• Linear current limitation

• Thermal shutdown

• Short circuit protection

• Integrated clamp

• Low current drawn from input pin

• Diagnostic feedback through input pin

• ESD protection

• Direct access to the gate of the power mosfet

(analog driving)

• Compatible with standard power mosfet

• In compliance with the 2002/95/EC european

directive

产品属性

更多
  • 产品编号:

    VNS1NV04DPTR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    2

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    1.7A

  • 导通电阻(典型值):

    250 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
24+
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5000
全新原装正品,现货销售
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