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VNN1NV04PTR-E	文件：465.35 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Features • Linear current limitation • Thermal shutdown • Short circuit protection • Integrated clamp • Low current drawn from input pin • Diagnostic feedback through input pin • ESD protection • Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving) • Compatible with standard Po 文件：465.35 Kbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：416.49 Kbytes 页数：28 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04PTR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	ST 意法半导体	ST
VNN1NV04PTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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