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VNN7NV04PTR-E	文件：412.09 Kbytes Page：29 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET Description TheVNN7NV04P-E,VNS7NV04P-E,aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPower™M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50kHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthech	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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VNN7NV04PTR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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产品属性

产品编号：
VNN7NV04PTR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
6A
导通电阻（典型值）：
65 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-223
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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