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VNN1NV04PTR-E中文资料MOS(场效应管)数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
VNN1NV04PTR-E |
| 参数属性 | VNN1NV04PTR-E 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 |
| 功能描述 | MOS(场效应管) |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 20:00:00 |
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技术参数
更多- 产品编号：
VNN1NV04PTR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 系列：
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 开关类型：
通用
- 输出数：
1
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
1.7A
- 导通电阻（典型值）：
250 毫欧（最大）
- 输入类型：
非反相
- 故障保护：
限流（固定），超温，过压
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
SOT-223 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT223 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
SYFOREVER |
25+ |
SOT-223 |
20300 |
SYFOREVER原装特价VNN1NV04PTR-E即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-223 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2023+ |
SOT-223 |
3000 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ST |
16+ |
SOT-223 |
1400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
4000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOT-223 |
4500 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
STMicr |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
