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VNN1NV04PTR-E中文资料MOS(场效应管)数据手册ST规格书

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厂商型号

VNN1NV04PTR-E

参数属性

VNN1NV04PTR-E 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223

功能描述

MOS(场效应管)
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2026-2-5 11:10:00

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技术参数

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  • 产品编号:

    VNN1NV04PTR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    1.7A

  • 导通电阻(典型值):

    250 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
23+
11200
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ST
20+
SOT223
52
原装
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ST
24+
SOT223-3
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23+
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