首页>PBSS5160T>规格书详情

PBSS5160T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

PBSS5160T

参数属性

PBSS5160T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PBSS5160T/SOT23/TO-236AB

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

U6

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

696.66 Kbytes

页面数量

11

生产厂商

NEXPERIA

中文名称

安世

网址

网址

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-11-26 14:10:00

人工找货

PBSS5160T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PBSS5160T规格书详情

特性 Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High efficiency due to less heat generation

* Reduces Printed-Circuit Board (PCB) area required

* Cost-effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5160TVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    175mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 1mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    PBSS5160T/SOT23/TO-236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
SOT-23
3000
原装现货假一赔十
询价
恩XP
22+
SOT233
3000
原装正品,支持实单
询价
恩XP
24+
SOT-23
65200
一级代理/放心采购
询价
恩XP
13+
SOT23
1079
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
恩XP
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
恩XP
2223+
SOT-23
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
NEXPERIA/安世
2025+
SOT-23
5000
原装进口,免费送样品!
询价
恩XP
2023+
SOT23
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
NEXPERIA/安世
24+
SOT-23
9000
只做原装,欢迎询价,量大价优
询价
恩XP
24+
N/A
20000
原厂直供原装正品
询价