PBSS5160V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS5160V |
参数属性 | PBSS5160V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.9A SOT666 |
功能描述 | 60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT666 / SOT-563,SOT-666 |
文件大小 |
267.59 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-4 17:51:00 |
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PBSS5160V规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High efficiency leading to less heat generation
* Reduces printed-circuit board area required
* Cost effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52
产品属性
- 产品编号:
PBSS5160V,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
330mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
150 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
220MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:
SOT-666
- 描述:
TRANS PNP 60V 0.9A SOT666
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT23 |
20000 |
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NEXPERIA |
23+ |
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4000 |
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Nexperia/安世 |
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SOT666 |
120000 |
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恩XP |
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SOT-23- |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT1118 |
10990 |
原装正品 |
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