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PBSS5160V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS5160V
厂商型号

PBSS5160V

参数属性

PBSS5160V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.9A SOT666

功能描述

60 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

51

封装外壳

SOT666 / SOT-563,SOT-666

文件大小

267.59 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:51:00

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PBSS5160V规格书详情

特性 Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High efficiency leading to less heat generation

* Reduces printed-circuit board area required

* Cost effective replacement for medium power transistors BCP52 and BCX52

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS5160V,115

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    330mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    220MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-563,SOT-666

  • 供应商器件封装:

    SOT-666

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.9A SOT666

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