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STGW12NB60H	文件：86.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGP12NB60HD	文件：409.55 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL12A-600VTO-220PowerMESH??IGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH™IGBTs,withoutstandingperfomances.ThesuffixHidentifiesafamilyoptimizedforhighfrequencyapplications(upto50kHz)inorder	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STGP12NB60KD	文件：531.51 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL18A-600VTO-220/D2PAKSHORTCIRCUITPROOFPowerMESHIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
STGW12NB60H
功能描述：
IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 12 Amp
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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