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STGP12NB60KD	文件：531.51 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT 文件：531.51 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGP12NB60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A 125W TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW12NB60H	文件：86.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequ 文件：86.1 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGW12NB60HD	文件：90.49 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 12A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequ 文件：90.49 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STW12NB60	文件：351.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：351.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
STGP12NB60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，12A
开关能量：
258µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/96ns
测试条件：
480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 30A 125W TO220

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