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STGP12NB60KD	文件：531.51 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP12NB60KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A 125W TO220	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW12NB60H	文件：86.1 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL12A-600VTO-247PowerMESHIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGW12NB60HD	文件：90.49 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL12A-600VTO-247PowerMESHIGBT DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESHIGBTs,withoutstandingperfomances.Thesuffix”H”identifiesafamilyoptimizedtoachieveverylowswitchingtimesforhighfrequ	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STW12NB60	文件：351.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STW12NB60	文件：250.34 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL600V-0.5ohm-12ATO-247PowerMesh?줚IMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGP12NB60KD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，12A
开关能量：
258µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/96ns
测试条件：
480V，12A，10 欧姆，15V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
IGBT 600V 30A 125W TO220

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更多STGP12NB60KD供应商更新时间2025-5-30 10:02:00

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