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STGB12NB60KD

N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT

文件:531.51 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB12NB60KDT4

N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGB12NB60KDT4

IGBT 600V 30A 125W D2PAK

ST

意法半导体

STGB12NB60KDT4

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 30A 125W D2PAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    30A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm):

    60A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

    2.8V @ 15V,12A

  • 功率 - 最大值:

    125W

  • 开关能量:

    258µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 栅极电荷:

    54nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/96ns

  • 测试条件:

    480V,12A,10 欧姆,15V

  • 反向恢复时间(trr):

    80ns

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

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