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STGD25N40LZAG	文件：551.2 Kbytes Page：20 Pages	Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ Features •AEC-Q101qualified •SCISenergyof320mJ@TJ=25°C •Partsare100testedinSCIS •ESDgate-emitterprotection •Gate-collectorhighvoltageclamping •Logiclevelgatedrive •Verylowsaturationvoltage •Highpulsedcurrentcapability •Gateandgate-emitterresistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STGD25N40LZAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：POWER TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
25N40	文件：60.48 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
25N40	文件：182.69 Kbytes Page：6 Pages	400V,26AN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
25N40A	文件：243.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
25N40A	文件：359.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG25N40D	文件：210.32 Kbytes Page：10 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG25N40D	文件：444.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHG25N40D	文件：179.29 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP25N40D	文件：213.73 Kbytes Page：8 Pages	DSeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SSF25N40A	文件：256.91 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=400V RDS(on)=0.2W ID=14.3A FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10mA(Max.)@VDS=400V ●LowRDS(ON):0.162W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSF25N40A	文件：264.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSH25N40	文件：272.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSH25N40A	文件：261.69 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSH25N40A	文件：282.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSM25N40	文件：290.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGB25N40LZAG	文件：551.2 Kbytes Page：20 Pages	Automotive-grade400VinternallyclampedIGBTESCIS320mJ Features •AEC-Q101qualified •SCISenergyof320mJ@TJ=25°C •Partsare100testedinSCIS •ESDgate-emitterprotection •Gate-collectorhighvoltageclamping •Logiclevelgatedrive •Verylowsaturationvoltage •Highpulsedcurrentcapability •Gateandgate-emitterresistor	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
STGD25N40LZAG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.25V @ 4V，6A
输入类型：
逻辑
25°C 时 Td（开/关）值：
1.1µs/4.6µs
测试条件：
300V，10A，1 千欧，5V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-PAK（TO-252）
描述：
POWER TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	STGD25N40LZAG	STMicroelectronics	24+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多STGD25N40LZAG供应商更新时间2024-9-22 14:14:00

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