丝印：G4H60DF；Package：DPAK；Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT in a DPAK package

Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A • Tight parameter distribution • Low thermal resistance • Short-circuit rated • Soft and fast recovery antiparallel diode Applications • Industrial motor control • Dishwashers • Refrigerators

文件：403.33 Kbytes 页数：18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

600 V、4 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT，采用DPAK封装

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是H系列IGBT中的一员，能够有效平衡导通损耗与开关损耗，从而显著提升了高开关频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。 • 最大结温：TJ = 175 °C \n• 低 VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 4 A \n• 紧凑参数分布 \n• 低热阻 \n• 具有短路额定值 \n•  软恢复反并联二极管;

ST

意法半导体

TO-263

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上传：深圳市汇创佳电子科技有限公司

TO-263

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SOT227

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