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STGD4H60DF中文资料600 V、4 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT，采用DPAK封装数据手册ST规格书
STGD4H60DF规格书详情
描述 Description
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是H系列IGBT中的一员，能够有效平衡导通损耗与开关损耗，从而显著提升了高开关频率转换器的效率。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。
特性 Features
• 最大结温：TJ = 175 °C
• 低 VCE(sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 4 A
• 紧凑参数分布
• 低热阻
• 具有短路额定值
• 软恢复反并联二极管
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
DPAK-3 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-252 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
DPAK-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
2223+ |
TO-252-3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2023+ |
DPAK-3 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
DPAK |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-252 |
20000 |
询价 |
