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STGD4H60DF数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STGD4H60DF

功能描述

600 V、4 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT,采用DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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STGD4H60DF规格书详情

描述 Description

该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是H系列IGBT中的一员,能够有效平衡导通损耗与开关损耗,从而显著提升了高开关频率转换器的效率。此外,它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。

特性 Features

• 最大结温:TJ = 175 °C
• 低 VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 4 A
• 紧凑参数分布
• 低热阻
• 具有短路额定值
•  软恢复反并联二极管

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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