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STGD3NB60H数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

STGD3NB60H

参数属性

STGD3NB60H 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK

功能描述

N-CHANNEL 3A - 600V TO-252 PowerMESH IGBT
IGBT 600V 10A 50W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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STGD3NB60H规格书详情

简介

STGD3NB60H属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD3NB60H晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STGD3NB60HDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    33µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    5ns/53ns

  • 测试条件:

    480V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 10A 50W DPAK

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