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STGD3NB60H数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
STGD3NB60H |
参数属性 | STGD3NB60H 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK |
功能描述 | N-CHANNEL 3A - 600V TO-252 PowerMESH IGBT |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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STGD3NB60H规格书详情
简介
STGD3NB60H属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD3NB60H晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
STGD3NB60HDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
PowerMESH™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,3A
- 开关能量:
33µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
5ns/53ns
- 测试条件:
480V,3A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 10A 50W DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
1970 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST |
1926+ |
DPAK |
6852 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
2500 |
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ST |
05+ |
?TO-220 |
2000 |
全新原装 绝对有货 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+23+ |
TO-220 |
25952 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
D2PAK |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-220 |
2987 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
SOT-252 |
11200 |
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询价 | ||
ST |
24+ |
TO-220 |
2508 |
询价 |