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STGD3NB60H	文件：86.66 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V TO-252 PowerMESH IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. The suffix ”H” identifies a family optimized to achieve very low switching times for high frequen 文件：86.66 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD3NB60HD	文件：504.89 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Power MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. ■ HIGH INPUT IMPEDANCE ■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH FREQUENCY 文件：504.89 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD3NB60HDT4	文件：504.89 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT DESCRIPTION Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Power MESH™ IGBTs, with outstanding perfomances. ■ HIGH INPUT IMPEDANCE ■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH FREQUENCY 文件：504.89 Kbytes 页数：10 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGD3NB60H	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 3A - 600V TO-252 PowerMESH IGBT	ST 意法半导体	ST
STGD3NB60HD	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT	ST 意法半导体	ST
STGD3NB60HDT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 10A 50W DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STGD3NB60H
功能描述：
IGBT 晶体管 N-CH 600V 3A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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