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STGDL6NC60DIT4

6 A, 600 V hyper fast IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STGDL6NC60DIT4

包装:管件 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 13A 50W DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STGBL6NC60DIT4

6A,600VhyperfastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

产品属性

  • 产品编号:

    STGDL6NC60DIT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    32µJ(开),24µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    6.7ns/46ns

  • 测试条件:

    390V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 50W DPAK

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更多STGDL6NC60DIT4供应商 更新时间2024-5-14 16:14:00