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STGF8NC60KD

N-channel 600V - 4A - TO-220FP Short circuit rated PowerMESH??IGBT

文件:288.78 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF8NC60KD

600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT

文件:562.01 Kbytes 页数:18 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF8NC60KD

New short circuit rugged \K\ series

• Lower on voltage drop (VCE(sat))\n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode• Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)\n• Short circuit withstand time 10µs;

ST

意法半导体

STGF8NC60KD

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 7A 24W TO220FP

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGF8NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,3A

  • 开关能量:

    55µJ(开),85µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/72ns

  • 测试条件:

    390V,3A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT 600V 7A 24W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
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更多STGF8NC60KD供应商 更新时间2026-2-1 13:44:00