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STGD10NC60KD中文资料N-channel 600V - 10A - DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT数据手册ST规格书

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厂商型号

STGD10NC60KD

参数属性

STGD10NC60KD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 20A 62W DPAK

功能描述

N-channel 600V - 10A - DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT
IGBT 600V 20A 62W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 8:59:00

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STGD10NC60KD规格书详情

简介

STGD10NC60KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGD10NC60KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STGD10NC60KDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    55µJ(开),85µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    17ns/72ns

  • 测试条件:

    390V,5A,10欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 62W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/
24+
TO-252
5000
全新原装正品,现货销售
询价
SST
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
ST/意法
2022+
DPAK(TO-252)
8000
只做原装支持实单,有单必成。
询价
ST/意法半导体
23+
DPAK-3
8860
原装正品,支持实单
询价
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
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ST/意法
24+
NA
14280
强势渠道订货 7-10天
询价
ST
24+
TO-252
25836
新到现货,只做全新原装正品
询价
ST/意法半导体
23+
DPAK-3
12700
买原装认准中赛美
询价
ST/意法
22+
TO252DPAK
19952
询价
STMICROELECTRONICS
24+
NA
2500
原装现货,专业配单专家
询价