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STGB7NB60HD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

STGB7NB60HD

参数属性

STGB7NB60HD 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 14A 80W D2PAK

功能描述

N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT
IGBT 600V 14A 80W D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:02:00

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STGB7NB60HD规格书详情

简介

STGB7NB60HD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的STGB7NB60HD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STGB7NB60HDT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    85µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/75ns

  • 测试条件:

    480V,7A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 80W D2PAK

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