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STGB5H60DF规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• High-speed switching
• Tight parameter distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Short-circuit rated
• Ultrafast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB5H60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：88
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：5
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：10
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：5
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：10
- VCE(sat)_typ(V)
：1.5
- VF_typ(V)
：2.1
- Qg_typ(nC)
：43
- Eon_typ(mJ)
：0.06
- Eoff_typ(mJ)
：0.08
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
24+ |
Si |
16900 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
14280 |
强势渠道订货 7-10天 |
询价 | ||
22+ |
NA |
1000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
2023+ |
Si |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
Si |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
Si |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
Si |
10000 |
原装公司现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
Si |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
Si |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
