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STGB30V60DF中文资料600 V、30 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT数据手册ST规格书
STGB30V60DF规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
• Tail-less switching off
• VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Very fast soft recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB30V60DF
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：260
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- VCE(sat)_typ(V)
：1.85
- VF_typ(V)
：2
- Qg_typ(nC)
：163
- Eon_typ(mJ)
：0.38
- Eoff_typ(mJ)
：0.23
- Err_typ(µJ)
：104
- Qrr_typ(nC)
：384
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
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