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STGB15M65DF2中文资料沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗数据手册ST规格书
STGB15M65DF2规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• 6 µs of short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A
• Tight parameter distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and very fast recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB15M65DF2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：136
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：15
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：15
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：30
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- VF_typ(V)
：1.7
- Qg_typ(nC)
：45
- Eon_typ(mJ)
：0.09
- Eoff_typ(mJ)
：0.45
- Err_typ(µJ)
：64
- Qrr_typ(nC)
：525
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
TO-263 |
10000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
ST/意法 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
D2PAK |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
D2PAK-3 |
4000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
询价 | ||
ST |
24+ |
D2PAK |
12000 |
进口原装 价格优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
54685 |
百分百原装现货有单来谈 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
658 |
只做原装进口!正品支持实单! |
询价 |
