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STGAP2SICD数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

STGAP2SICD

功能描述

电流隔离4 A双重栅极驱动器

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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STGAP2SICD规格书详情

描述 Description

STGAP2SiCD属于SiC MOSFET双栅极驱动器,用于在每个栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电隔离。栅极驱动器支持4 A的电流能力和轨到轨输出,适合中到高功率应用,如功率转换和工业电机驱动器逆变器。独立的输出引脚允许使用专用栅极电阻单独优化导通和关断,而Miller钳位功能可在半桥拓扑的快速换向期间避免栅极尖峰。该器件集成了保护功能:提供专用SD和BRAKE引脚,包含UVLO和热关断功能,便于轻松设计高度可靠的系统。在半桥拓扑中,联锁功能防止输出同时为高,避免错误的逻辑输入指令导致出现击穿情况。可通过专用配置引脚禁用联锁功能,允许两个通道独立和并行运行。输入到输出的传播延迟在75 ns内,PWM控制精度高。可以使用待机模式以降低空闲时的功耗。

特性 Features

• 高压导轨达1200 V
• 驱动器电流能力:4 A灌/拉@25°C
• dV/dt瞬态抗扰度±100 V/ns
• 总输入 - 输出传播延迟:75 ns
• 独立的电流拉灌选项,轻松实现栅极驱动配置
• 4 A Miller钳位
• UVLO功能
• 可配置的联锁功能
• 专用SD和制动pins
• 栅极驱动电压高达26 V
• 具有迟滞的3.3 V,5 V TTL / CMOS输入
• 温度关闭保护
• 待机功能
• 6 kV电隔离
• 宽体SO-36W封装

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