选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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ST(意法)D2PAK |
6186 |
2307+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-263 |
600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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ST/意法TO263 |
13782 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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ST/意法D2PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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STD2PAK |
3000 |
新批次 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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STSOT263 |
1455 |
21+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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STSOT-263 |
1000 |
18+;17+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ST/意法TO-263 |
265209 |
假一罚十,原包原标签,常备现货 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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ST/意法N |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ST进口TO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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STSOT-263 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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STM原厂目录D2PAK |
28500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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ST(意法)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
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STSOT-263 |
25000 |
23+ |
原厂/代理渠道 价格优势 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ST-意法半导体TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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STD2PAK |
6852 |
1926+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ST/意法TO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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ST/意法NA/ |
3588 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
STGB10NB37LZ采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
STGB10NB37LZ图片
STGB10NB37LZT4价格
STGB10NB37LZT4价格:¥13.0977品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STGB10NB37LZT4多少钱,想知道STGB10NB37LZT4价格是多少?参考价:¥13.0977。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,STGB10NB37LZT4批发价格及采购报价,STGB10NB37LZT4销售排行榜及行情走势,STGB10NB37LZT4报价。
STGB10NB37LZ中文资料Alldatasheet PDF
更多STGB10NB37LZ功能描述:IGBT 晶体管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGB10NB37LZ_01制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT
STGB10NB37LZT4功能描述:IGBT 晶体管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube