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STGB15M65DF2	文件：1.11098 Mbytes Page：19 Pages	丝印：G15M65DF2；Package：D2PAK；Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low-loss in a D²PAK package Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are ess 文件：1.11098 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB15M65DF2	文件：1.08019 Mbytes Page：19 Pages	丝印：G15M65DF2；Package：D2PAK；Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low loss 文件：1.08019 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGB15M65DF2	文件：300 bytes Page：1 Pages	沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗 This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low loss and short-circuit capability are essential • 6 µs of short-circuit withstand time \n• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A \n• Tight parameter distribution \n• Safer paralleling \n• Low thermal resistance \n• Soft and very fast recovery antiparallel diode;	ST 意法半导体	ST
STGB15M65DF2_V01	文件：1.11098 Mbytes Page：19 Pages	Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low-loss in a D²PAK package Description This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are ess 文件：1.11098 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
D2PAK
Grade：
Industrial
VCES_max(V)：
650
PTOT_max(W)：
136
Freewheeling diode：
true
IC_max(@ Tc=100°C)(A)：
15
IC_max(@ Tc=25°C)(A)：
30
IF_max(@ Tc=100°C)(A)：
15
IF_max(@ Tc=25°C)(A)：
30
VCE(sat)_typ(V)：
1.55
VF_typ(V)：
1.7
Qg_typ(nC)：
45
Eon_typ(mJ)：
0.09
Eoff_typ(mJ)：
0.45
Err_typ(µJ)：
64
Qrr_typ(nC)：
525

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