首页>STGB30H60DLFB>规格书详情
STGB30H60DLFB数据手册ST中文资料规格书
STGB30H60DLFB规格书详情
描述 Description
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the new \"HB\" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• Designed for soft commutation only
• Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
• High speed switching series
• Minimized tail current
• VCE(sat)= 1.55 V (typ.) @ IC= 30 A
• Low VFsoft recovery co-packaged diode
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Low thermal resistance
• Lead free package
技术参数
- 制造商编号
：STGB30H60DLFB
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：600
- PTOT_max(W)
：260
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：30
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：60
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- VF_typ(V)
：1.4
- Qg_typ(nC)
：149
- Eoff_typ(mJ)
：0.29
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-263-3 |
1612 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
D2PAK-3 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST |
2511 |
D2PAK |
16900 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 |
