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STGB10NC60HDT4中文资料600 V, 10 A very fast IGBT数据手册ST规格书
STGB10NC60HDT4规格书详情
描述 Description
These devices are very fast IGBTs developed using advanced PowerMESH technology. This process guarantees an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.
特性 Features
• Low on voltage drop (VCE(sat))
• Low Cres / Cies ratio (no cross-conduction susceptibility)
• Very soft ultra-fast recovery antiparallel diode
技术参数
- 型号：
STGB10NC60HDT4
- 功能描述：
IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
13249 |
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ST/意法 |
24+ |
NA |
860000 |
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ST/意法 |
2517+ |
TO263 |
8850 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8860 |
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ST/意法 |
23+ |
TO263 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK-3 |
12700 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8860 |
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ST/意法 |
25+ |
TO263 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
D2PAK-3 |
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STM |
23+ |
TO263 |
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